ON Semiconductor FJP5554

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

70W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

70W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 800mA 3V

最大集极截止电流

250μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 1A, 3.5A

集电极基极电压(VCBO)

1.05kV

发射极基极电压 (VEBO)

15V

RoHS状态

符合RoHS标准