ON Semiconductor 50A02MH-TL-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, Flat Lead

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-60mV

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

600mW

端子位置

DUAL

基本部件号

50A02MH

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

600mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

690MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 10mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

120mV @ 10mA, 100mA

最高频率

690MHz

转换频率

690MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

850μm

长度

2mm

宽度

2.1mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅