ON Semiconductor BC369ZL1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

50

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2005

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

欧洲零件号

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

BC369

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率 - 最大

625mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

56MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

85 @ 500mA 1V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 100mA, 1A

转换频率

65MHz

频率转换

65MHz

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅