ON Semiconductor MPS6651G

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

600mV

Number of Elements

1

hFEMin

50

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2007

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

-25V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

600mV

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 500mA 1V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 100mA, 1A

转换频率

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

25V

发射极基极电压 (VEBO)

4V

关断时间-最大值（toff)

75ns

接通时间-最大值(ton)

280ns

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅