ON Semiconductor BC556BBU

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

hFEMin

110

Number of Elements

1

Collector-Emitter Saturation Voltage

-250mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

包装

Bulk

操作温度

150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

-65V

最大功率耗散

500mW

额定电流

-100mA

频率

150MHz

基本部件号

BC556

元素配置

Single

功率耗散

500mW

增益带宽积

150MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

65V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

无铅

无铅