ON Semiconductor KSC1008GBU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

800mW

端子位置

BOTTOM

额定电流

700mA

频率

50MHz

基本部件号

KSC1008

元素配置

Single

功率耗散

800mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

50MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

700mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 50mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 50mA, 500mA

转换频率

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

8V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅