ON Semiconductor BC640ZL1G

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)

表面安装

NO

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

安装类型

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-500mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

150MHz

hFEMin

25

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

625mW

已出版

2005

包装

Tape & Box (TB)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

欧洲零件号

电压 - 额定直流

-80V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-500mA

频率

150MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BC640

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

625mW

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

转换频率

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

-80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅