ON Semiconductor BC81825MTF

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

引脚数

3

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

700mV

hFEMin

100

Number of Elements

1

已出版

2004

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

310mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

频率

100MHz

基本部件号

BC818

元素配置

Single

功率耗散

310mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最大集电极电流

800mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

160 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 50mA, 500mA

转换频率

100MHz

最大击穿电压

25V

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

930μm

长度

2.9mm

宽度

1.3mm

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

无铅

无铅