ON Semiconductor BC850BMTF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

30mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

300MHz

Power Dissipation (Max)

310mW

Number of Elements

1

hFEMin

110

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

45V

额定电流

100mA

频率

300MHz

基本部件号

BC850

元素配置

Single

功率耗散

310mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 100mA

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅