ON Semiconductor BC857AMTF

工厂交货时间

36 Weeks

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 12 hours ago)

触点镀层

Tin

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-250mV

hFEMin

110

Number of Elements

1

已出版

2004

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-45V

最大功率耗散

310mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-100mA

频率

150MHz

基本部件号

BC857

元素配置

Single

功率耗散

310mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

150MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

110 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

转换频率

150MHz

最大击穿电压

45V

集电极基极电压(VCBO)

-50V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

宽度

1.3mm

长度

2.9mm

高度

930μm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅