ON Semiconductor BCP69T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-20V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-500mV

Number of Elements

1

hFEMin

50

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

1.5W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-1A

频率

60MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BCP69

引脚数量

4

元素配置

Single

功率耗散

1.5W

箱体转运

COLLECTOR

增益带宽积

60MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

20V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

85 @ 500mA 1V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 100mA, 1A

转换频率

60MHz

最大击穿电压

20V

集电极基极电压(VCBO)

25V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

1.651mm

长度

6.6802mm

宽度

3.7084mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅