ON Semiconductor BCW61BMTF
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BCW61BMTF
1807-BCW61BMTF
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
--最小包装量--
BCW61BMTF详情
ON Semiconductor BCW61BMTF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
30mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
32V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-550mV
Number of Elements
1
hFEMin
140
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-32V
最大功率耗散
350mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
-100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BCW61
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
350mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
32V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
140 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
20nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
550mV @ 1.25mA, 50mA
最大击穿电压
32V
集电极基极电压(VCBO)
-32V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
关断时间-最大值(toff)
800ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BCW61BMTF拓展信息
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