ON Semiconductor BD244CTU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-1.5V

Number of Elements

1

hFEMin

15

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

最大功率耗散

65W

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

65W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

1.5V

最大集电极电流

6A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 3A 4V

最大集极截止电流

700μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 1A, 6A

转换频率

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

-100V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

连续集电极电流

-10A

RoHS状态

ROHS3 Compliant