ON Semiconductor BDX34A

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Number of Elements

1

hFEMin

750

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

70W

额定电流

-10A

基本部件号

BDX34

元素配置

Single

功率耗散

70W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 4A 3V

最大集极截止电流

500μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 8mA, 4A

集电极基极电压(VCBO)

60V

连续集电极电流

-10A

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅