ON Semiconductor KSE2955T

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Current-Collector (Ic) (Max)

10A

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2001

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

600mW

额定电流

-10A

频率

2MHz

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

600mW

功率 - 最大

600mW

增益带宽积

2MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

8V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 4A 4V

最大集极截止电流

700μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

8V @ 3.3A, 10A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

2MHz

集电极基极电压(VCBO)

-70V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅