ON Semiconductor BDX53CTU

生命周期状态

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工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

hFEMin

750

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

60W

额定电流

8A

基本部件号

BDX53

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 3A 3V

最大集极截止电流

500μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 12mA, 3A

转换频率

20MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

8A

高度

9.4mm

长度

10.1mm

宽度

4.7mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅