ON Semiconductor BDX53BTU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220-3

质量

1.8g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Current-Collector (Ic) (Max)

8A

Number of Elements

1

hFEMin

750

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2000

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

60W

额定电流

8A

基本部件号

BDX53

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

60W

功率 - 最大

60W

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 3A 3V

最大集极截止电流

500μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 12mA, 3A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80V

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

8A

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅