ON Semiconductor BU406G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

质量

4.535924g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

200V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Current-Collector (Ic) (Max)

7A

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

1993

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

200V

最大功率耗散

60W

额定电流

7A

频率

10MHz

基本部件号

BU406

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

60W

功率 - 最大

60W

增益带宽积

10MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

200V

最大集电极电流

7A

最大集极截止电流

5mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

200V

最高频率

10MHz

频率转换

10MHz

集电极基极电压(VCBO)

400V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

高度

6.35mm

长度

31.75mm

宽度

12.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅