ON Semiconductor BUB323ZT4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)

工厂交货时间

13 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.6V

Number of Elements

1

hFEMin

500

操作温度

-65°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

350V

最大功率耗散

150W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

10A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BUB323

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

150W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

350V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

500 @ 5A 4.6V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.7V @ 250mA, 10A

转换频率

2MHz

最大击穿电压

350V

频率转换

2MHz

发射极基极电压 (VEBO)

6V

连续集电极电流

10A

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅