ON Semiconductor BUD42DG

生命周期状态

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安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

Number of Elements

1

hFEMin

8

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

BUILT-IN ANTISATURATION NETWORK

电压 - 额定直流

350V

最大功率耗散

25W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BUD42

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

25W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

350V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 2A 5V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 500mA, 2A

集电极基极电压(VCBO)

650V

发射极基极电压 (VEBO)

9V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅