ON Semiconductor NJVNJD35N04G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

45W

基本部件号

NJD35N04

引脚数量

3

极性

NPN

元素配置

Single

功率 - 最大

45W

无卤素

无卤素

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

1.5V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

2000 @ 2A 2V

最大集极截止电流

50μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 20mA, 2A

转换频率

90MHz

频率转换

90MHz

集电极基极电压(VCBO)

700V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅