ON Semiconductor BUH100

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

Collector-Emitter Breakdown Voltage

700V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Current-Collector (Ic) (Max)

10A

hFEMin

15

操作温度

-60°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SWITCHMODE™

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-60°C

电压 - 额定直流

700V

最大功率耗散

100W

额定电流

10A

极性

NPN

元素配置

Single

功率 - 最大

100W

增益带宽积

23MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

750mV

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 5A 5V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

750mV @ 1.5A, 7A

电压 - 集射极击穿（最大值）

700V

频率转换

23MHz

集电极基极电压(VCBO)

700V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅