ON Semiconductor BUH50G

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

160V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

7

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SWITCHMODE™

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

可提供引线框架选项

电压 - 额定直流

500V

最大功率耗散

50W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

4A

频率

4MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

50W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

4MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

500V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

5 @ 2A 5V

最大集极截止电流

100μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 1A, 3A

转换频率

4MHz

最大击穿电压

500V

集电极基极电压(VCBO)

800V

发射极基极电压 (VEBO)

9V

高度

15.75mm

长度

10.28mm

宽度

4.82mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅