ON Semiconductor KSD401G

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150V

Current-Collector (Ic) (Max)

2A

Number of Elements

1

hFEMin

120

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

150V

最大功率耗散

25W

额定电流

2A

频率

5MHz

基本部件号

KSD401

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

25W

功率 - 最大

25W

增益带宽积

5MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

150V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 400mA 10V

最大集极截止电流

50μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

150V

频率转换

5MHz

集电极基极电压(VCBO)

200V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅