ON Semiconductor BUH51G

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

500V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Number of Elements

1

hFEMin

8

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

SWITCHMODE™

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

800V

最大功率耗散

50W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

3A

频率

23MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

50W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

23MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

500V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

8 @ 1A 1V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 1A

转换频率

23MHz

集电极基极电压(VCBO)

800V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅