ON Semiconductor BUL45D2G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Collector-Emitter Saturation Voltage

460mV

Number of Elements

1

hFEMin

22

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2001

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

BUILT-IN EFFICIENT ANTISATURATION NETWORK

电压 - 额定直流

700V

最大功率耗散

75W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

5A

频率

13MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BUL45

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

75W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

13MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 2A 1V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 400mA, 2A

转换频率

13MHz

集电极基极电压(VCBO)

700V

发射极基极电压 (VEBO)

12V

高度

9.28mm

长度

10.28mm

宽度

4.82mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅