ON Semiconductor BUT11

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

电压 - 额定直流

400V

最大功率耗散

100W

额定电流

5A

基本部件号

BUT11

元素配置

Single

功率耗散

100W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

5A

最大集极截止电流

1mA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 600mA, 3A

集电极基极电压(VCBO)

850V

发射极基极电压 (VEBO)

9V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅