ON Semiconductor BUT11A

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

450V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2001

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

450V

最大功率耗散

100W

额定电流

5A

基本部件号

BUT11

元素配置

Single

功率耗散

100W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

450V

最大集电极电流

5A

最大集极截止电流

1mA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500mA, 2.5A

最大击穿电压

100V

集电极基极电压(VCBO)

1kV

发射极基极电压 (VEBO)

9V

最小直流增益（hFE）

10

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅