ON Semiconductor BVSS123LT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

170mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

40 ns

Power Dissipation (Max)

225mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

已出版

2001

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

225mW

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6 Ω @ 100mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 1mA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

20pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

170mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

6Ohm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅