ON Semiconductor D45C8

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-500mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

60W

额定电流

-4A

元素配置

Single

功率耗散

60W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 200mA 1V

最大集极截止电流

100μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 1A

最高频率

32MHz

转换频率

32MHz

频率转换

32MHz

集电极基极电压(VCBO)

-60V

发射极基极电压 (VEBO)

-1.3V

高度

16.51mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅