ON Semiconductor ECH8601M-C-TL-H

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

引脚数

8

Turn Off Delay Time

3 μs

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

1.5W

功率耗散

1.6W

接通延迟时间

300 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Rds On(Max)@Id,Vgs

23m Ω @ 4A, 4.5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.5nC @ 4.5V

上升时间

1μs

漏源电压 (Vdss)

24V

下降时间（典型值）

1.8 μs

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

24V

场效应管特性

Logic Level Gate, 2.5V Drive

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准