ON Semiconductor ECH8601M-TL-H-P
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ECH8601M-TL-H-P
1807-ECH8601M-TL-H-P
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SMD, Flat Lead
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MOSFET 2N-CH
--最小包装量--
ECH8601M-TL-H-P详情
ON Semiconductor ECH8601M-TL-H-P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SMD, Flat Lead
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8A Ta
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Rds On(Max)@Id,Vgs
23m Ω @ 4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.3V @ 1mA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.5nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
24V
场效应管特性
Logic Level Gate, 2.5V Drive
ECH8601M-TL-H-P拓展信息








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