EFC4618R-TR
EFC4618R-TR

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

ON Semiconductor EFC4618R-TR

  • 收藏
  • 对比

型号

EFC4618R-TR

utmel 编号

1807-EFC4618R-TR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

4-XBGA, 4-FCBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET SWITCHING DEVICE

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
EFC4618R-TR
EFC4618R-TR ON Semiconductor MOSFET SWITCHING DEVICE

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

EFC4618R-TR详情

ON Semiconductor EFC4618R-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    4-XBGA, 4-FCBGA

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    4

  • Turn Off Delay Time

    1.84 μs

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2007

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    1.6W

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 功率耗散

    1.6W

  • 接通延迟时间

    200 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 上升时间

    815ns

  • 下降时间(典型值)

    1.77 μs

  • 连续放电电流(ID)

    6A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 漏源击穿电压

    24V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Standard

  • 漏源电阻

    23mOhm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor EFC4618R-TR.

查看更多

EFC4618R-TR拓展信息

FDG6301N
FDG6301N

ON Semiconductor

NDC7001C
NDC7001C

ON Semiconductor

FDS4935BZ
FDS4935BZ

ON Semiconductor

FDC6303N
FDC6303N

ON Semiconductor

FDC6301N
FDC6301N

ON Semiconductor

FDS8958A
FDS8958A

ON Semiconductor

FDC6333C
FDC6333C

ON Semiconductor

FDS4935A
FDS4935A

ON Semiconductor

FDG8850NZ
FDG8850NZ

ON Semiconductor

FDS6898A
FDS6898A

ON Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z