ON Semiconductor FCB070N65S3

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

1.31247g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

44A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

312W Tc

Turn Off Delay Time

89 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SuperFET® III

已出版

2016

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

312W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

26 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

70m Ω @ 22A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 4.4mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3090pF @ 400V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

78nC @ 10V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

44A

阈值电压

4.5V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.07Ohm

漏源击穿电压

650V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

4.83mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant