ON Semiconductor FCD4N60TM

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

13 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.9A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Turn Off Delay Time

36 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SuperFET™

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.2Ohm

电压 - 额定直流

600V

终端形式

鸥翼

额定电流

3.9A

基本部件号

FCD4N60

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

540pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16.6nC @ 10V

上升时间

45ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

3.9A

阈值电压

5V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

双电源电压

600V

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

5 V

高度

2.517mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅