ON Semiconductor FDC6301N_G
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FDC6301N_G
1807-FDC6301N_G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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TRANS MOSFET N-CH 25V 0.22A 6PIN SUPERSOT
1最小包装量--
FDC6301N_G详情
ON Semiconductor FDC6301N_G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
220mA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
700mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
4 Ω @ 400mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
9.5pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.7nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
25V
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
符合RoHS标准
FDC6301N_G拓展信息








哦! 它是空的。