ON Semiconductor FDC6322C
- 收藏
- 对比
FDC6322C
1807-FDC6322C
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
大陆
立即发货

MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
--最小包装量--
FDC6322C详情
ON Semiconductor FDC6322C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件包装
SuperSOT™-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
220mA 460mA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
700mW
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4Ohm @ 400mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
9.5pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.7nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
25V
场效应管特性
逻辑电平门
FDC6322C拓展信息








哦! 它是空的。