ON Semiconductor FDFMA2P853

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VDFN Exposed Pad

引脚数

6

质量

40mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

2V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.4W Ta

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

120MOhm

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

DUAL

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.4W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

120m Ω @ 3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

435pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 4.5V

上升时间

11ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

3A

JEDEC-95代码

MO-229VCCC

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.2A

漏源击穿电压

20V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

高度

750μm

长度

2mm

宽度

2mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅