ON Semiconductor FDG6301N-F085P

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

36 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

220mA Ta

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

300mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

4 Ω @ 220mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9.5pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.4nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.22A

漏极-源极导通最大电阻

4Ohm

DS 击穿电压-最小值

25V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant