ON Semiconductor FDG6321C-F169
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FDG6321C-F169
1807-FDG6321C-F169
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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INTEGRATED CIRCUIT
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FDG6321C-F169详情
ON Semiconductor FDG6321C-F169重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
500mA Ta 410mA Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
已出版
2017
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
功率 - 最大
300mW
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
450m Ω @ 500mA, 4.5V, 1.1 Ω @ 410mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 10V 62pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
25V
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
符合RoHS标准
FDG6321C-F169拓展信息








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