ON Semiconductor FDMA8884

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VDFN Exposed Pad

引脚数

6

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.5A Ta 8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.9W Ta

Turn Off Delay Time

11 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2017

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.9W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

23m Ω @ 6.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

450pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.5nC @ 10V

上升时间

1ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

1 ns

连续放电电流(ID)

6.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏极-源极导通最大电阻

0.023Ohm

漏源击穿电压

30V

反馈上限-最大值 (Crss)

28 pF

高度

750μm

长度

2mm

宽度

2mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant