ON Semiconductor FDMC007N30D

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

23 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

质量

186mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

46A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-N8

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

排水源头

功率 - 最大

1.9W 2.5W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.6m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1110pF @ 15V 2360pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

34nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

29A

漏极-源极导通最大电阻

0.0116Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

反馈上限-最大值 (Crss)

30 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant