ON Semiconductor FDMC8200S_F106
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FDMC8200S_F106
1807-FDMC8200S_F106
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerWDFN
大陆
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MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
1最小包装量--
FDMC8200S_F106详情
ON Semiconductor FDMC8200S_F106重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A 8.5A
包装
Cut Tape (CT)
系列
PowerTrench®
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
700mW 1W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
20m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
660pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMC8200S_F106拓展信息








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