ON Semiconductor FDMJ1028N
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FDMJ1028N
1807-FDMJ1028N
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-WFDFN Exposed Pad
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MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET
1最小包装量--
FDMJ1028N详情
ON Semiconductor FDMJ1028N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-WFDFN Exposed Pad
引脚数
8
供应商器件包装
6-MicroFET (2x2)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.2A
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2001
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
800mW
额定电流
3.2A
元素配置
Dual
功率耗散
1.4W
功率 - 最大
800mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
90mOhm @ 3.2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
200pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
连续放电电流(ID)
3.2A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
输入电容
200pF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
76mOhm
最大rds
90 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDMJ1028N拓展信息








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