ON Semiconductor FDMS001N025DSD

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 weeks ago)

工厂交货时间

23 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

19A Ta 69A Tc 38A Ta 165A Tc

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-N8

配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

2.1W Ta 26W Tc 2.3W Ta 42W Tc

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.25m Ω @ 19A, 10V, 920μ Ω @ 38A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 320μA, 3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1370pF 5105pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC, 104nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

19A

漏极-源极导通最大电阻

0.00325Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

381A

DS 击穿电压-最小值

25V

雪崩能量等级（Eas）

121 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

Non-RoHS Compliant