FDMS1D2N03DSD
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ON Semiconductor FDMS1D2N03DSD

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型号

FDMS1D2N03DSD

utmel 编号

1807-FDMS1D2N03DSD

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-PowerWDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PT11N 30/12 & PT11N 30/12

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FDMS1D2N03DSD
FDMS1D2N03DSD ON Semiconductor PT11N 30/12 & PT11N 30/12

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FDMS1D2N03DSD详情

ON Semiconductor FDMS1D2N03DSD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    23 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerWDFN

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    19A Ta 70A Tc 37A Ta 164A Tc

  • 系列

    PowerTrench®

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 功率 - 最大

    2.1W Ta 26W Tc 2.3W Ta 42W Tc

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3.25m Ω @ 19A, 10V, 0.97m Ω @ 37A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 320μA, 3V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1410pF @ 15V 4860pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    33nC @ 10V, 117nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • 场效应管特性

    Standard

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

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技术文档: ON Semiconductor FDMS1D2N03DSD.

FDMS1D2N03DSD拓展信息

FDG6301N
FDG6301N

ON Semiconductor

NDC7001C
NDC7001C

ON Semiconductor

FDS4935BZ
FDS4935BZ

ON Semiconductor

FDC6303N
FDC6303N

ON Semiconductor

FDC6301N
FDC6301N

ON Semiconductor

FDS8958A
FDS8958A

ON Semiconductor

FDC6333C
FDC6333C

ON Semiconductor

FDS4935A
FDS4935A

ON Semiconductor

FDG8850NZ
FDG8850NZ

ON Semiconductor

FDS6898A
FDS6898A

ON Semiconductor

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