FDN372S
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ON Semiconductor FDN372S

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型号

FDN372S

utmel 编号

1807-FDN372S

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3

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FDN372S
FDN372S ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3

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FDN372S详情

ON Semiconductor FDN372S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 质量

    30mg

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    2.6A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    500mW Ta

  • Turn Off Delay Time

    21 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 已出版

    2002

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终端

    SMD/SMT

  • 电阻

    40MOhm

  • 电压 - 额定直流

    30V

  • 额定电流

    2.6A

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    500mW

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    40m Ω @ 2.6A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    630pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    8.1nC @ 5V

  • 上升时间

    5ns

  • Vgs(最大值)

    ±16V

  • 下降时间(典型值)

    5 ns

  • 连续放电电流(ID)

    2.6A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    16V

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 双电源电压

    30V

  • 栅源电压

    1.4 V

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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