ON Semiconductor FDS6900AS-G
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FDS6900AS-G
1807-FDS6900AS-G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
1最小包装量--
FDS6900AS-G详情
ON Semiconductor FDS6900AS-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件包装
8-SOIC
Package
Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.9A, 8.2A
厂商
onsemi
Product Status
Obsolete
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
PowerTrench®, SyncFET™
功率 - 最大
900mW (Ta)
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
27mOhm @ 6.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA, 3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
600pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
场效应管特性
逻辑电平门
FDS6900AS-G拓展信息








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