ON Semiconductor FDS8958A-F085
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FDS8958A-F085
1807-FDS8958A-F085
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
--最小包装量--
FDS8958A-F085详情
ON Semiconductor FDS8958A-F085重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
5 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7A 5A
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
已出版
2007
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率 - 最大
900mW
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
28m Ω @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
575pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7A
漏极-源极导通最大电阻
0.028Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20A
DS 击穿电压-最小值
30V
雪崩能量等级(Eas)
54 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2W
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDS8958A-F085拓展信息








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