ON Semiconductor FDT459N

生命周期状态

LIFETIME (Last Updated: 11 hours ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

3

质量

250.2mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Ta

Turn Off Delay Time

6 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

1998

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

6.5A

JESD-30代码

R-PDSO-G4

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

5.2 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

35m Ω @ 6.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

365pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 10V

上升时间

8.2ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

6.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

高度

1.7mm

长度

6.7mm

宽度

3.7mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅